IPB80P03P4L04ATMA2
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB80P03P4L04ATMA2 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $3.50 |
10+ | $3.145 |
100+ | $2.5764 |
500+ | $2.1932 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 253µA |
Vgs (Max) | +5V, -16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 137W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11300 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB80P |
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
INFINEON TO-263
P-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPB80P03P4L04ATMA2Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|